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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振臺(tái)灣津綻晶振,NAOH 53貼片晶振,CMOS輸出晶體振蕩器

    臺(tái)灣津綻晶振,NAOH 53貼片晶振,CMOS輸出晶體振蕩器

  • 規(guī)格型號(hào):71815627
  • 頻率:1.000~125.000MHZ
  • 尺寸:5.2*3.4*1.2mm詳細(xì)資料參考PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

  NSK晶振是津綻石英科技公司于全球的銷(xiāo)售品牌,具有良好競(jìng)爭(zhēng)性的價(jià)格及靈活快速的交貨管理.NSK的產(chǎn)品被廣泛地運(yùn)用在個(gè)人計(jì)算機(jī)、安全系統(tǒng)、通信、無(wú)線應(yīng)用、遙控單元和消費(fèi)性電子產(chǎn)品等,并已陸續(xù)獲得國(guó)內(nèi)外電腦及通信大廠認(rèn)可及使用。NSK已獲得ISO 9001 / ISO 14001的質(zhì)量和環(huán)保認(rèn)證,產(chǎn)品并通過(guò)及符合Rohs規(guī)范的要求,且確實(shí)配合客戶實(shí)現(xiàn)無(wú)毒產(chǎn)品的要求,以創(chuàng)造及維護(hù)美好環(huán)境為己任。

  臺(tái)灣津綻晶振,NAOH 53貼片晶振,CMOS輸出晶體振蕩器均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻.主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi).


 

  臺(tái)灣津綻晶振NAOH 53,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,等產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
儲(chǔ)存條件
       (1)   在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH
  (2)   請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

  晶振是一種易碎元器件對(duì)于晶振的保存方式也要妥當(dāng).
1.首先要考慮其周?chē)某睗穸?做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方.使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.
2.其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過(guò)程,也不宜使晶振跌落,一般來(lái)說(shuō),從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.
3.在晶振焊錫過(guò)程中,其焊錫的溫度不宜過(guò)高,焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng),防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.
4.晶振外殼需要接地時(shí),應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振.
5.保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振.
6.對(duì)于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響.
7.焊錫之后,要進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求.


 
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