ILSI超小型1612mm連續(xù)電源電壓范圍32.768kHz振蕩器
來源:http://www.hhamai.cn 作者:金洛鑫電子 2019年12月17
ILSI超小型1612mm連續(xù)電源電壓范圍32.768kHz振蕩器
32.768KHz系列的晶體振蕩器有著MHz振蕩器所沒有優(yōu)勢,應(yīng)用在高級時(shí)鐘系統(tǒng)里,它更加精準(zhǔn)穩(wěn)定,適合用于對時(shí)鐘設(shè)置要求較高的設(shè)備身上,屬于比較特殊的一種石英晶體振蕩器產(chǎn)品.美國ILSI晶振公司近期就成功開發(fā),并推出了幾款32.768K晶體振蕩器型號,并且封裝尺寸都非常小輕薄,最小的一款只有1.6×1.2×0.7mm.而且電源電壓范圍是連續(xù)性的,從+1.8V到+3.3V,超低的工作電壓可使功耗更低.
ILSI晶振公司的ISM37系列是石英晶體振蕩器,可提供準(zhǔn)確的32.768kHz LVCMOS輸出.這些系列具有2.0x1.6x0.8mm和1.6x1.2x0.7mm的緊湊尺寸,在-40℃至+85℃的工業(yè)工作范圍內(nèi)具有±25ppm的可用頻率穩(wěn)定性.
這些產(chǎn)品系列使設(shè)計(jì)工程師可以從其設(shè)計(jì)中省去單獨(dú)的32.768kHz手表晶體和相關(guān)的負(fù)載電容器,并將LVCMOS振蕩器功能整合為電路的單一封裝.該產(chǎn)品還具有在從1.8VDC到3.3VDC的離散行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電源電壓下具有低電流消耗的特點(diǎn),并且具有1.62VDC到3.63VDC的連續(xù)電源電壓范圍選項(xiàng).ISM37系列為設(shè)計(jì)工程師提供了LVCMOS輸出,準(zhǔn)確的32.768K參考電壓,低電流消耗和連續(xù)電壓范圍選項(xiàng)的組合,從而為要求小尺寸的電池供電應(yīng)用提供了準(zhǔn)確的定時(shí)參考電壓.
需要32.768kHz定時(shí)設(shè)備的應(yīng)用包括:
RTC參考時(shí)鐘
智能計(jì)量
工業(yè)控制
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
可穿戴
電池管理
健康設(shè)備
系統(tǒng)時(shí)鐘源
技術(shù)特征:
低電流消耗
LVCMOS輸出邏輯
連續(xù)電源電壓范圍
緊湊的SMD晶振封裝
AT切割晶體的溫度穩(wěn)定性特征
無需外部負(fù)載電容器
無鉛,符合RoHS和REACH
絕對最大限制
機(jī)械和焊盤布局尺寸(mm)
包裝信息:
端接值=e4(A超過W堿金屬而超過Ni)
端子電鍍厚度:
金(0.3µm至1.0µm),鎳(1.27µm至8.89µm)
環(huán)境指標(biāo):
波形圖
焊劑回流曲線
單元向后兼容+240℃回流工藝
本文的目的就是為了給大家介紹這款,ILSI公司生產(chǎn)的32.768K石英振蕩子系列產(chǎn)品,可用來做參考,ILSI在歐美市場的地位,相當(dāng)于KDS,EPSON,SEIKO,CITIZEN,TXC,HELE等品牌在我國市場的重要性.憑借優(yōu)越的品質(zhì)和好口碑,在這幾年進(jìn)軍亞洲市場,獲得不俗的業(yè)績,國內(nèi)已有部分廠家使用ILSI品牌的石英晶體和石英晶體振蕩器產(chǎn)品.
ILSI超小型1612mm連續(xù)電源電壓范圍32.768kHz振蕩器
32.768KHz系列的晶體振蕩器有著MHz振蕩器所沒有優(yōu)勢,應(yīng)用在高級時(shí)鐘系統(tǒng)里,它更加精準(zhǔn)穩(wěn)定,適合用于對時(shí)鐘設(shè)置要求較高的設(shè)備身上,屬于比較特殊的一種石英晶體振蕩器產(chǎn)品.美國ILSI晶振公司近期就成功開發(fā),并推出了幾款32.768K晶體振蕩器型號,并且封裝尺寸都非常小輕薄,最小的一款只有1.6×1.2×0.7mm.而且電源電壓范圍是連續(xù)性的,從+1.8V到+3.3V,超低的工作電壓可使功耗更低.
ILSI晶振公司的ISM37系列是石英晶體振蕩器,可提供準(zhǔn)確的32.768kHz LVCMOS輸出.這些系列具有2.0x1.6x0.8mm和1.6x1.2x0.7mm的緊湊尺寸,在-40℃至+85℃的工業(yè)工作范圍內(nèi)具有±25ppm的可用頻率穩(wěn)定性.
這些產(chǎn)品系列使設(shè)計(jì)工程師可以從其設(shè)計(jì)中省去單獨(dú)的32.768kHz手表晶體和相關(guān)的負(fù)載電容器,并將LVCMOS振蕩器功能整合為電路的單一封裝.該產(chǎn)品還具有在從1.8VDC到3.3VDC的離散行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電源電壓下具有低電流消耗的特點(diǎn),并且具有1.62VDC到3.63VDC的連續(xù)電源電壓范圍選項(xiàng).ISM37系列為設(shè)計(jì)工程師提供了LVCMOS輸出,準(zhǔn)確的32.768K參考電壓,低電流消耗和連續(xù)電壓范圍選項(xiàng)的組合,從而為要求小尺寸的電池供電應(yīng)用提供了準(zhǔn)確的定時(shí)參考電壓.
需要32.768kHz定時(shí)設(shè)備的應(yīng)用包括:
RTC參考時(shí)鐘
智能計(jì)量
工業(yè)控制
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
可穿戴
電池管理
健康設(shè)備
系統(tǒng)時(shí)鐘源
技術(shù)特征:
低電流消耗
LVCMOS輸出邏輯
連續(xù)電源電壓范圍
緊湊的SMD晶振封裝
AT切割晶體的溫度穩(wěn)定性特征
無需外部負(fù)載電容器
無鉛,符合RoHS和REACH
頻率范圍 | 32.768KHz | |
頻率公差 | ±15ppm,±20ppm,±30ppm,or±50ppm最大 | 在+25℃ |
頻率穩(wěn)定度 | ±15ppm,±20ppm,±30ppm,or±50ppm最大 | 包括工作溫度范圍 |
工作溫度范圍 |
-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
|
電源電壓(Vdd) | 1.8V,2.5V,2.8V,3.0V,3.3V或1.62V至3.63V | |
輸入電流 | 最大值30µA | 空載,Vdd=3.3V |
輸出邏輯類型 | LVCMOS | |
輸出驅(qū)動(dòng)能力 | 最高15pF | |
老化 | 每年±3ppm | 在+25℃ |
占空比 | 50±5(%) | 在波形的50%處測量 |
上升/下降時(shí)間 | 最大200nSec | 從波形的10%到90%測量 |
輸出電壓邏輯高 | Vdd最小值的90% | |
輸出電壓邏輯低 | Vdd最大值的10% | |
輸入電壓邏輯高 | Vdd最小值的70%或不連接以啟用輸出 | |
輸入電壓邏輯低 | 最大Vdd的30%禁用輸出(高阻抗) | 禁用的輸出:高阻抗 |
待機(jī)電流 | 最大值3µA | Vdd=2.5V至3.3V |
啟動(dòng)時(shí)間 |
最大7毫秒 最大10毫秒 |
Vdd=1.8V |
注意: ●除非另有說明,否則所有最小和最大限制都是在溫度和額定工作電壓(輸出為15pF)上指定的. ●建議在Vdd(焊盤4)和GND(焊盤2)之間使用0.1µF旁路電容,以最大程度地降低電源噪聲. |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -55℃至+125℃ |
電源電壓范圍 | -0.3Vdc至Vdd+0.5Vdc |
靜電放電 | 最大2000伏 |
焊接溫度 | 最高260℃ |
結(jié)溫 | 最高150℃ |
注意:如果使用超出絕對最大額定值的零件,則可能導(dǎo)致內(nèi)部損壞.該零件應(yīng)在建議的工作條件下使用,否則,如果超出這些條件,則該零件的可靠性可能會(huì)受損. |
端接值=e4(A超過W堿金屬而超過Ni)
端子電鍍厚度:
金(0.3µm至1.0µm),鎳(1.27µm至8.89µm)
環(huán)境指標(biāo):
機(jī)械沖擊 | MIL-STD-202,Method213 |
機(jī)械振動(dòng) | MIL-STD-202,Method204 |
耐焊接熱 | MIL-STD-202,Method210 |
可焊性 | J-STD-002 |
漏油 | MIL-STD-883,Method1014 |
細(xì)漏 | MIL-STD-883,Method1014 |
水分敏感性水平 | MSL1(+260℃) |
Ts最大至t1(上升速率) | 3℃/秒以下 |
預(yù)熱 最低溫度(Ts分鐘) 溫度典型值(Ts典型值) 最高溫度(Ts最大值) 時(shí)間(Ts) |
150℃ 175℃ 200℃ 60至180秒 |
Ramp-upTate(TL~Tp | 3℃/秒以下 |
維持以上時(shí)間 溫度(TL) 時(shí)間(TL) |
217℃ 60至150秒 |
峰值溫度(Tp) | 最高260℃,持續(xù)10秒 |
5℃以內(nèi)的時(shí)間達(dá)到峰值 溫度(Tp) |
20至40秒 |
減速率 | 6℃/秒以下 |
調(diào)節(jié)25℃至峰值溫度 | 最多8分鐘 |
水分敏感性水平(MSL) | 1級 |
ILSI超小型1612mm連續(xù)電源電壓范圍32.768kHz振蕩器
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